1064nm 黑硅探測器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從UV到NIR波段的外部量子效率，使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測到并轉(zhuǎn)換為可測量的信號(hào)。

產(chǎn)品型號(hào)：QPD

更新時(shí)間：2025-11-08

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1064nm 黑硅探測器：再次定義NIR探測器的邊界

關(guān)于ElFys

ElFys 提供一系列高性能黑硅光電二極管。該光電探測器是通過采用表面納米結(jié)構(gòu)技術(shù)與原子層沉積涂層相結(jié)合，大大提高了光收集效率。我們支持客戶來評(píng)估光二極管性能來用于產(chǎn)品概念驗(yàn)證階段。我們帶著深入理解來設(shè)計(jì)研發(fā)定制光電二極管解決方案。我們可以設(shè)計(jì)并提供少量或者大量的光電二極管產(chǎn)品。

1064nm 黑硅探測器

ElFys的高性能四象限探測器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)能力。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從UV到NIR波段的外部量子效率，使的實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測到并轉(zhuǎn)換為可測量的信號(hào)。

相關(guān)應(yīng)用包括：