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產(chǎn)品中心
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產(chǎn)品中心激光與量測激光M2因子分析儀激光M2分析儀
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2025-11-07
廠商性質(zhì)：代理商
訪問量：4473
服務(wù)熱線
產(chǎn)品分類
激光M2分析儀：BeamSquared
產(chǎn)品特性：
•速度快：1分鐘內(nèi)出結(jié)果，數(shù)據(jù)，業(yè)內(nèi)*符合ISO 11146標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，可長時(shí)間一周七天嚴(yán)苛環(huán)境連續(xù)使用，根據(jù)實(shí)驗(yàn)環(huán)境不同，可以豎直儀器使用測量數(shù)據(jù)
•折疊腔，光路升級(jí)，體積更加小巧，含自動(dòng)衰減器
• 連續(xù)和脈沖激光均可測量，一維、二維、三維成像
• 全自動(dòng)分析激光光束質(zhì)量：光斑大小、能量分布、質(zhì)心、峰值中心、高斯擬合度、光斑指向穩(wěn)定性、M2 因子、發(fā)散角等，所有結(jié)果均符合ISO 標(biāo)準(zhǔn)，可輸出PDF 測量結(jié)果報(bào)告以及多種格式的日志
•Ultracal單點(diǎn)背景扣除技術(shù)可得到高度測量結(jié)果，所有測量參數(shù)符合ISO 標(biāo)準(zhǔn)，可追溯至NIST 標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品參數(shù)：
儀器型號(hào)：BeamSquared
波長范圍：266 - 1100nm（Silicon探測器）
650-1700nm（ InGaAs探測器）
355-164nm，10.6-3000um(熱釋電探測器)
接口方式：USB2.0&USB3.0
有效像素：3.69µm x 3.69µm（Silicon探測器）分辨率：1928*1448（Silicon探測器）
30µm x 30µm（ InGaAs探測器） 320*256（ InGaAs探測器）
80μm x 80μm(熱釋電探測器) 320*320 160*160 (熱釋電探測器)
幀速（Full Resolution）：26 fps, 100Hz
儀器尺寸45.9cm×21.7cm×11.5cm
重量：26lbs（11.7kg）
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